上海交通大学2011年半导体基础真题
2013/1/23 16:37:15
来源: 网络
2011年上海交通大学874半导体物理与器件基础考研真题根据网友提供的资料整理而来，难免有所疏漏，仅供参考。
一、1.半导体能带形成原因2.绝缘体 导体 半导体 能带图3.算一个半导体的吸收限
二、算扩散电流
三、1.基区宽度调变效应2.根据基区宽度调变效应的计算
四、算基区长度与扩散长度相等时的放大系数
五、算mos管的跨导
六、短沟道效应及短沟道效应引起的参数变化
七、算有效阈值电压与阈值电压的差值
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